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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Evento (Conference Proceedings)
Sitemtc-m21b.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W34P/3M9LH82
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21b/2016/08.16.18.00
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21b/2016/08.16.18.00.40
Última Atualização dos Metadados2018:06.04.02.41.01 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE--PRE/
Chave de CitaçãoChiappimTesPesFraMac:2016:EfDiPl
TítuloPlasma-assisted atomic layer deposition of TiO2 thin films: effect of direct plasma exposure during deposition on film structure and morphology
Ano2016
Data de Acesso11 maio 2024
Tipo SecundárioPRE CI
2. Contextualização
Autor1 Chiappim, William
2 Testoni, Georgio Ernesto
3 Pessoa, Rodrigo Sávio
4 Fraga, Mariana Amorim
5 Maciel, Homero Santiago
Grupo1
2
3
4 LAS-CTE-INPE-MCTI-GOV-BR
Afiliação1 Universidade do Vale do Paraíba (UNIVAP)
2 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA)
3 Universidade do Vale do Paraíba (UNIVAP)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
5 Universidade do Vale do Paraíba (UNIVAP)
Endereço de e-Mail do Autor1
2
3
4 mariana.fraga@inpe.br
Nome do EventoInternational Conference on Advanced Nanomaterials, 7
Localização do EventoAveiro, Portugal
Data25-27 July
Histórico (UTC)2016-08-16 18:02:08 :: simone -> administrator :: 2016
2018-06-04 02:41:01 :: administrator -> simone :: 2016
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
ResumoThe titanium dioxide (TiO2) has a wide range of applications both as thin film or bulk material due to many attractive properties such as wide band gap, high dielectric constant, and photocatalytic activity. As thin film several applications can be cited as photovoltaics and sensors [1]. Recent studies have shown that modification of stoichiometry, crystalline structure, morphology and, consequently, the optical/electrical properties of TiO2 films can be finely tuned by appropriately altering plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) process parameters, e.g. plasma power, gas flow rate and pressure and plasma exposure (direct or remote plasma) [2]. In this work, we report about the effect of direct plasma exposure during deposition on film structure and morphology of PEALD TiO2 thin films using TiCl4 precursor. For this, a remote capacitively coupled 13.56 MHz oxygen plasma was used as co-reactant during ALD process and the plasma power was varied from 50 W to 200 W for a fixed process temperature of 250 ºC. In order to improve the discussions, thermal ALD of TiO2 films were performed at similar process conditions.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Plasma-assisted atomic layer...
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Conteúdo da Pasta agreement
agreement.html 16/08/2016 15:00 1.0 KiB 
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Grupo de Usuáriossimone
Grupo de Leitoresadministrator
simone
Visibilidadeshown
Permissão de Leituraallow from all
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhourlib.net/www/2011/03.29.20.55
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Lista de Itens Citando
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.20
6. Notas
Campos Vaziosarchivingpolicy archivist booktitle callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination doi e-mailaddress edition editor format isbn issn keywords label lineage mark nextedition notes numberoffiles numberofvolumes orcid organization pages parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project publisher publisheraddress resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark serieseditor session shorttitle size sponsor subject targetfile tertiarymark tertiarytype type url versiontype volume
7. Controle da descrição
e-Mail (login)simone
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